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시리즈 M에서 김도익님과 김태형님께서 문제가 발생해서 김도익님께서 해결방안을

제시해 주신 부분을 검토해 봤습니다.

 

시리즈 M에 들어간 보호회로는 하데스에 들어간 것과 기본 구조가 동일하므로 이

문제가 발생할 여지는 같습니다.

 

한마디로 2N7000 MOS-FET의 OFF시 누설전류로 인해 이 전류에 hFE가 곱해진

전류가 OFF상태에서 PNP TR의 CE간에 흘러 버립니다. 데이터시트상에 상온기준

1uA수준이고 125도에서 1mA까지라고 나와 있는데 일부가 상온에서 0.5mA까지

흐른 것으로 파악됩니다.

 

이런 경우 트러블 슈팅을 위해서는 PNP타입 BJT의 E-B간에 470옴 정도의 저항을

달아주면 해결이 됩니다. 이 저항값은 보호회로에 공급되는 전압에 따라 약간의

튜닝할 필요는 있습니다.

 

전수현님도 인터넷에 공개된 회로를 그대로 쓰셨고, 저도 스플린 전원관련 부분만

들어내고 단순화시키고 L과 R의 간섭을 분리시키기 위해 OP-AMP를 각각 사용

(스플린 전원 빼면서 하나가 빠져나온 것 활용)했으므로 릴레이 구동쪽은 동일합니다.)

한 정도의 차이만 있습니다.

 

제가 만든 보드 4개는 모두 이상현상 없었습니다만 두분의 경우에서 문제가 발생했고

김도익님께서 제시하신 해결방법을 검토해 본 결과 적절하다 판단되어 오픈합니다.

 

원래 BJT를 스위치로 사용하는 경우 B-E간에 저항이 들어가서 IBE와 RBE로 우회하는

전류를 제어해야 하는 것이 정석이지만 원본부터 두번째 복사한 제 회로까지 빠져

있었던 것이 사실입니다.

 

PNP타입 BJT보다 이 부분에는 P타입 MOS-FET이 더 적절하고 트러블이 없는 소자이지만

가격적으로 비싸고, 수급에서 BJT가 유리해서 BJT가 많이 사용되는 것 같습니다.

 

  • ?
    김태형 2012.07.12 12:16

    무식하면 손발이 고생입니다. 디캡용 mlcc 전부 떼었다 붙였다 2회 

    칩저항 전부 떼엇다 붙였다 2회 FET, TR 교체 2회 hFE 값이 다른 TR 

    바꾸어 겨우 안정화 되었습니다. 이제 동작 제대로 됩니다. 

    그러게 TR 이상이라고 생각해서 분해하고 다이오드모드로 체크해보면 

    다 정상이었었거든요. ㅋ


    보호회로 제대로 동작 안한다는 의견이 많았었는데 그분 중에는 

    이 현상으로 고생하셨던 분도 계실 것 같습니다. 


    증상은 파워온지연 DC 감지 전혀 못하고 파워온과 동시에 

    릴레이가 걍 붙어버립니다. 

  • ?
    송기환(majors) 2012.07.12 12:43

    자료 감사합니다.

    회로도상에 릴레이 바로 앞에 있는 Q32 (pnp) 에  E-B 간 저항을 추가하라는 말씀이시죠?

  • ?
    이길범 2012.07.12 12:57

    네, 맞습니다. 적절한 저항값은 MOS-FET이 ON시에 Base 저항 (10K)에 흐르는 전류보다 0.5mA 작은 값의 전류가

    R(BE)에 흐르도록 맞추시면 됩니다.

  • ?
    송기환(majors) 2012.07.12 13:24

    네!! 감사드려요.

  • ?
    김상록 2012.07.12 14:59

    저는 별다른 현상이 없어서 그냥 넘어갔는데...확인한번 해봐야 겠습니다.^^

    이길범님 문자 감사합니다.^^


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