시리즈 M에서 김도익님과 김태형님께서 문제가 발생해서 김도익님께서 해결방안을

제시해 주신 부분을 검토해 봤습니다.

 

시리즈 M에 들어간 보호회로는 하데스에 들어간 것과 기본 구조가 동일하므로 이

문제가 발생할 여지는 같습니다.

 

한마디로 2N7000 MOS-FET의 OFF시 누설전류로 인해 이 전류에 hFE가 곱해진

전류가 OFF상태에서 PNP TR의 CE간에 흘러 버립니다. 데이터시트상에 상온기준

1uA수준이고 125도에서 1mA까지라고 나와 있는데 일부가 상온에서 0.5mA까지

흐른 것으로 파악됩니다.

 

이런 경우 트러블 슈팅을 위해서는 PNP타입 BJT의 E-B간에 470옴 정도의 저항을

달아주면 해결이 됩니다. 이 저항값은 보호회로에 공급되는 전압에 따라 약간의

튜닝할 필요는 있습니다.

 

전수현님도 인터넷에 공개된 회로를 그대로 쓰셨고, 저도 스플린 전원관련 부분만

들어내고 단순화시키고 L과 R의 간섭을 분리시키기 위해 OP-AMP를 각각 사용

(스플린 전원 빼면서 하나가 빠져나온 것 활용)했으므로 릴레이 구동쪽은 동일합니다.)

한 정도의 차이만 있습니다.

 

제가 만든 보드 4개는 모두 이상현상 없었습니다만 두분의 경우에서 문제가 발생했고

김도익님께서 제시하신 해결방법을 검토해 본 결과 적절하다 판단되어 오픈합니다.

 

원래 BJT를 스위치로 사용하는 경우 B-E간에 저항이 들어가서 IBE와 RBE로 우회하는

전류를 제어해야 하는 것이 정석이지만 원본부터 두번째 복사한 제 회로까지 빠져

있었던 것이 사실입니다.

 

PNP타입 BJT보다 이 부분에는 P타입 MOS-FET이 더 적절하고 트러블이 없는 소자이지만

가격적으로 비싸고, 수급에서 BJT가 유리해서 BJT가 많이 사용되는 것 같습니다.