오늘 저녁까지 받아서 적용 가능한 부분은 적용하도록 하겠습니다.
첨부가 회로도입니다. 탈레마는 3.5W 또는 7W짜리 7V 트랜스포머를 사용합니다.
별도로 따로 어댑터 쓰시겠다면 전원부 회로에서 S1, J3, C6만 남기고 모두 비우면
됩니다. 이전 올렸던 회로에서 정류 다이오드의 병렬 CAP 추가했습니다.
사용하는 트리머는 3296타입으로 일렬과 삼각 핀배열 모두 사용 가능합니다.
코넥터/점퍼류 레퍼런스별 설명입니다.
J1~J3 : 5mm 터미널 블럭으로 AC연결, DC 입출력 터미널용입니다.
DMM1~DMM6 : 각 블럭별로 멀티미터 연결용 터미널 블럭입니다. 테스트봉의 색깔을 표기해 두었습니다.
TERM1~TERM6 : 측정할 시료를 지그보드에 직접 꼽지 않고 와이어로 끌어서 삼지창 달아서 쓸 때 사용하는
5mm 터미널 블럭입니다. (대장님 지그 사진에 보이는)
SOC1~SOC6 : 2.54mm피치의 라운드 소켓을 달아주는 자리입니다. 이 소켓에 TO-92타입은 직접 꼽아서
측정할 수 있습니다. 핀순서는 B나 G가 가운데 있든 가장자리에 있든 4핀으로 했기 때문에
모든 핀배열을 꼽을 수 있습니다.
JP1~JP2 : JFET의 IDSS측정시 점퍼캡을 씌워서 쇼트시키는 목적입니다. CCS용 저항값 측정시에는 오픈입니다.
신정섭님 매칭회로에 적용된 BJT는 일단 KTC3200과 KTA1268을 썼습니다만 2SC1815/2SA1015를 써도
괜찮지 않을까 생각합니다. 신정섭님의 원본 소자가 요즘 구하기 어려운 것같아 바꾸었습니다. 핀 배열이
다른 것도 쉽게 꼽을 수 있도록 핀배열을 일렬이 아닌 삼각형 배열로 하겠습니다.
LED는 JFET지그에 들어가는 2개는 VF가 중요하지 않습니다만 BJT지그에 들어가는 4개는 1.84V가 맞습니다.
만약 다른 스펙을 적용하려면 300K의 시정수를 변경해 주셔야 합니다.
간략하게 기술하는 사용방법
1. BJT
- 전원을 연결합니다.
- 길모어 매칭이든 신정섭님 매칭이든 상관없이 측정대상 부품을 소켓 또는 터미널블럭에 핀순서에 맞춰
연결합니다.
- 멀티미터를 테스트봉 색깔에 맞춰 DMM 터미널 블럭에 연결합니다.
- 멀티미터의 측정 레인지를 DCV에 맞춥니다.
- 전원버튼을 누르고 일정 시간 경과후의 DCV값을 측정합니다. (대략 5~초 정도면 적당하며, 항상 동일시간 경과후 값을 측정합니다.)
- 길모어의 경우는 DCV만 읽으시고, 이 숫자가 근사한 부품끼리 짝을 지으시면 됩니다.
- 신정섭님 툴은 DCV를 읽은 뒤 간단한 계산을 하시면 직류전류증폭률을 알 수 있습니다.
IB = (VF(LED)*2-VBE(Q1,Q2))/300K = (1.84*2-0.67)/300000 = 10.03nA
IE = DCV(측정값)/100R = 1V(만약 측정값이 이렇다면)/100R = 0.01mA
직류전류증폭률 = IE/IB = 0.01/0.00001 = 1000
2. JFET
- 세팅하는 절차는 BJT와 같습니다.
- IDSS측정하려면 JP에 점퍼캡을 씌우고 CCS용 저항값을 측정하려면 빼둡니다.
- IDSS측정시는 BJT와 동일하게 전원버튼 누르고 일정 시간 경과후 DCV값을 읽습니다.
- 측정된 값을 100R로 나누면 바로 IDSS값이 됩니다.
- CCS용 저항값을 측정하시려면 전원 버튼을 누른 채 DCV가 원하는 전류값*100R의 전압이
맞을 때까지 트리머를 조정합니다.
- 원하는 수치에 트리밍이 완료되었으면 전원버튼에서 손을 떼고 시료와 멀티미터 연결을
제거하신 후 멀티미터를 JP1 양단에 저항계로 대어서 저항값을 읽으시면 됩니다.
회로도에 마운트홀이 16개나 보이는 것은 기판 연배열로 바닥을 덮을 하판과 전원부를 덮을
상판을 같이 제작하기 위한 것입니다. 메인기판과 하판에 홀이 6개씩, 그리고 상판에 4개의
마운트홀이 들어갑니다.
오늘 저녁에 PCB설계작업 시작합니다.
PS. 이시각 현재 (2012.03.27 23:16) 작업한 PCB 형상과 전원부 배치결과입니다.
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