김상록님과 박은서님이 H2의 버퍼단을 채널당 FET을 여럿씩 달고 케이스 방열을 해서 Full class A로 작동시키는게 어떻겠느냐는 고견을 주셔서 그린 회로도입니다.
이름은 H1이라고 지었는데, Hybrid의 the ONE이라는 정도의 의미로 받아주시면 될 듯.. ^ㅅ^a
아마 내년도 하스의 재밋는 프로젝트 중에 하나가 될 것 같은데 제가 망치지나 않을까 걱정입니다.
1. current gain stage를 MOSFET으로 구성합니다.
2. 케이스에 방열하는 것을 염두에 뒀습니다. (상록님이 아니셨으면 불가능했을..) 때문에 A급 전류도 듬뿍 먹여 mosfet이 더 리니어한 영역에서 작동하도록 의도합니다.
3. MOSFET은 complementary(push-pull) follower로 구성합니다. 사실 하나(single-ended)로도 헤드폰에는 충분한 파워가 확보되지만 이렇게 구성할 경우 두 소자가 반대로 작동하면서 디스토션을 서로 상쇄하여 성능이 향상된다고 합니다. 단, odd order distortion과는 무관하다고 하는군요. (출처: 넬슨패스옹) 정말 스피커도 구동할 수 있을 것 같습니다.
4. 신정섭님의 버퍼를 참고해서 LM317/337로 class A 바이어싱을 걸었는데, 제대로 그린건지 모르겠습니다. 고수님들의 지적 바랍니다. 만약 아니라면 그냥 저항+LED로.. ^ㅅ^;;;;;;;;;;;;;;
(수정) 이 부분은 TR로 바꿨습니다.
5. NFB는 걸지 않습니다. (수정) 논의중입니다.
따끔한 지적 부탁합니다.
전 610/9610 으로도 충분하다고 봐요. 여기에 한 0.5A 흘리면 전 영역에서 class A 될텐데,
그리고 바이어스가 ... class A로는 두 게이트 사이에 최소한 7v 는 걸려야 하고요. 지금의 회로로는 힘들어 보이는데요.
317, 337 간의 불일치도 조금 걸리는 부분이고.
음...옵셋트리머저항을 어디엔가 넣어야 할꺼에요.
그나저나 7806 병렬연결해도 괜찮대요?