김상록님과 박은서님이 H2의 버퍼단을 채널당 FET을 여럿씩 달고 케이스 방열을 해서 Full class A로 작동시키는게 어떻겠느냐는 고견을 주셔서 그린 회로도입니다.
이름은 H1이라고 지었는데, Hybrid의 the ONE이라는 정도의 의미로 받아주시면 될 듯.. ^ㅅ^a
아마 내년도 하스의 재밋는 프로젝트 중에 하나가 될 것 같은데 제가 망치지나 않을까 걱정입니다.
1. current gain stage를 MOSFET으로 구성합니다.
2. 케이스에 방열하는 것을 염두에 뒀습니다. (상록님이 아니셨으면 불가능했을..) 때문에 A급 전류도 듬뿍 먹여 mosfet이 더 리니어한 영역에서 작동하도록 의도합니다.
3. MOSFET은 complementary(push-pull) follower로 구성합니다. 사실 하나(single-ended)로도 헤드폰에는 충분한 파워가 확보되지만 이렇게 구성할 경우 두 소자가 반대로 작동하면서 디스토션을 서로 상쇄하여 성능이 향상된다고 합니다. 단, odd order distortion과는 무관하다고 하는군요. (출처: 넬슨패스옹) 정말 스피커도 구동할 수 있을 것 같습니다.
4. 신정섭님의 버퍼를 참고해서 LM317/337로 class A 바이어싱을 걸었는데, 제대로 그린건지 모르겠습니다. 고수님들의 지적 바랍니다. 만약 아니라면 그냥 저항+LED로.. ^ㅅ^;;;;;;;;;;;;;;
(수정) 이 부분은 TR로 바꿨습니다.
5. NFB는 걸지 않습니다. (수정) 논의중입니다.
따끔한 지적 부탁합니다.
[이학민] Tophu's Amp(윗면)
저임피던스 헤드폰,이어폰을 생각해보니 전압을 올리는게 그리 간단한게 아닌거 같습니다..
저항 와트도 올려야겠고 출력이 너무 쎄서 볼륨조절이 힘들것도 같구요. 잘못하단 태워먹을수도..
스피커용은 8옴근처로 통일된반면에 헤드폰 임피던스는 너무 다양하네요..
고임피던스,저임피던스용이 따로 있는게 괜히 그런게 아니군요..ㅋㅋ
보통 게인이 10근처면 충분한것같던데 이정도로 줄이는것도 한번 고려해보세요..