이 게시물 올리는 순간 또 레베루가 업이 됩니다... 그리고 그 다음 레베루는 그리 달갑지 않은

(상록님이 그렇게 싫어하셨던...ㅋㅋㅋ) 그 레베루네요...ㅎㅎㅎ

 

주말에 맨든 개인 프로젝트의 헤드폰 앰프의 게인 관련하여 몇가지 실험을 했습니다.

 

일단 하데스에 들어갈 넘은 만들기만 하고 아직 케이스 조립은 안했습니다. 페달쿠미사 케이스에

들어가는 것만 집에것과 회사에서 쓸넘 두개 모두 케이싱을 했습니다.

 

일단 3장의 기판을 만들면서 게인은 모두 동일하게 작업을 했는데 단독앰프로 쓰기에 확실히

게인이 많이 부족합니다. 아이팟을 소스로 쓰기에는 부족하지 않은데 갤스나 갤플을 소스로

쓰기에는 적절하지 않은 게인이네요...

 

처음 제작한 앰프의 게인은 입력과 출력간의 시스템 게인이 2배였습니다. 하데스 내장용으로는

이정도도 차고 넘칩니다. 0dB Sine파가 DAC출력이 RMS 2V이므로 앰프를 거치면 무려 4V가

됩니다. 300옴에서도 53mW나 나옵니다. 32옴에선 무려 0.5W나 나오는 셈이죠.

 

하지만 단독으로 갤스2를 소스로 해서 (갤스2의 앰프부하시 음질최적 음량이 13/15레벨이므로

0dB 기준으로 Sine파의 레벨이 많이 내려갑니다. 대략 RMS 0.25V정도 되는데 여기서 2배 증폭이면

앰프볼륨 최대로 해봐야 RMS 0.5V밖에 안됩니다.

 

그래서 게인을 좀 손봤습니다.

 

보유 칩저항의 종류 한계로 일단 포개는 짓까지 해가며 겨우 맞춘 게인이 전체 4배입니다. 그나마

처음 보다는 훨씬 좋아졌지만 아직은 좀 부족한 감이 있네요. 단독 앰프의 게인은 8~10배 정도로

설정하는 것이 이보다 더 낮은 레벨의 소스까지 감안하면 맞지 않을까 합니다.

 

좌우지간 목요일쯤 돼지열쇠집에서 칩저항 무데기 도착하면 페달쿠미사 껍닥속의 앰프들은 게인을

좀 더 높게 해서 8~10배 정도로 맞춰서 다시 테스트해본 뒤에 뚜껑 덮어야겠습니다...^^